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Samsung Electronics inicia la construcción de un nuevo complejo de investigación y desarrollo de semiconductores en Giheung, Corea 

Samsung Electronics inicia la construcción de un nuevo complejo de investigación y desarrollo de semiconductores en Giheung, Corea 

Publicado el 12/12/2022

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Samsung Electronics inicia la construcción de un nuevo complejo de investigación y desarrollo de semiconductores en Giheung, Corea 

 

Invertir KRW 20 billones para 2028 para construir instalaciones de investigación avanzada 

 

Santo Domingo, República Dominicana. Diciembre 2022.- Samsung Electronics adelanta la construcción de un nuevo complejo de investigación y desarrollo de semiconductores en Giheung, Corea, con el objetivo de ampliar su liderazgo en tecnología de semiconductores de vanguardia. 

Samsung Electronics planea invertir alrededor de KRW 20 billones para 2028 para el complejo en un área que cubre aproximadamente 109,000 metros cuadrados dentro de su campus de Giheung. La nueva instalación liderará la investigación avanzada sobre dispositivos y procesos de próxima generación para semiconductores de memoria y sistema, así como el desarrollo de nuevas tecnologías innovadoras basadas en una hoja de ruta a largo plazo. 

«Nuestro nuevo complejo de investigación y desarrollo de vanguardia se convertirá en un centro de innovación donde los mejores talentos de investigación de todo el mundo pueden venir y crecer juntos», dijo el presidente de Memory Business, Kye Hyun Kyung, quien también dirige la División de Soluciones de Dispositivos (DS). «Esperamos que este nuevo comienzo siente las bases para el crecimiento sostenible de nuestro negocio de semiconductores». 

Con el establecimiento de la nueva instalación de investigación y desarrollo, Samsung Electronics busca superar los límites de la escala de semiconductores y solidificar su ventaja competitiva en tecnología de semiconductores. 

 El campus Giheung de Samsung Electronics, ubicado al sur de Seúl, cerca del campus Hwaseong de la División DS, es el lugar de nacimiento de la primera DRAM de 64 Mb del mundo en 1992, marcando el comienzo del liderazgo de semiconductores de la compañía. 

También se espera que la nueva instalación de investigación y desarrollo de Giheung, junto con la línea de investigación y desarrollo en Hwaseong y el complejo de producción de semiconductores más grande del mundo en Pyeongtaek, eleve la sinergia entre los tres principales complejos de semiconductores de Samsung en el área metropolitana. 

El vicepresidente Jay Y. Lee visitó el campus de Hwaseong para reunirse con los empleados de la División DS, donde discutieron formas de promover la innovación dentro de la empresa. En una reunión separada con ejecutivos de la División DS, las discusiones involucraron temas actuales en la industria global de semiconductores, el progreso de la investigación y desarrollo de tecnología de semiconductores de próxima generación y las formas de asegurar la tecnología para expandir el liderazgo de semiconductores. 

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